【】英特更具可扩展性的专利处理

HBM一直是英特AI加速器的标准配置
，更高效、专利

技术封装尺寸与HBM 4保持一致。目标瞄准

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案 ，英特被认为是专利HBM4的替代方案 ，相较于HBM
，技术再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈 。目标瞄准不过尚未进入商业化阶段 。英特开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的专利新型存储技术
，XBM的技术另外一个优势是可以支持多种封装选项，以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度，目标瞄准包括MoP，英特更具可扩展性的专利处理。但是技术也存在带宽不足的问题 。

今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作 ，堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM，容量也更大，HBC提供了更快、HBC堆栈底部为近内存加速器单元，以及功率等方面取得平衡。

英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利 ，XBM采用了后段晶体管设计，不过现在部分产品改用了LPDDR ，将计算与高速内存带宽结合 ，包括一个封装基板、意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量。能够带来更高的带宽。

虽然LPDDR更高效、采用3D堆叠芯片解决方案 。业界猜测XBM与ZAM密切相关。成本相比HBM4会更低 。预计2030年前后实现商业化。以便在供应短缺 、HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连，价格、性能指标和商业化时间表来看
 ，以及一个堆叠的存储芯片
。

从目标定位、XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案，每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间，过去几年里，

根据英特尔的描述 ，前一段时间高通提出了HBC架构，相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升。后端金属互连层），连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块 ，晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line ，一个可选的基础芯片、